[发明专利]一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法无效
| 申请号： | 201110075312.5 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102180438A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 高平;杨欢;李飞;罗先刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;贾玉忠 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，步骤：(1)根据透射波长的需要选择合适型号的基底，对基底进行清洗、亲水化处理；(2)在基底表面均匀的自组装一层纳米球；(3)采用反应离子刻蚀机RIE工艺对制作的纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米球的间隙的尺寸大小；(4)利用刻蚀后的纳米球自组装作为模具，在球与球之间的间隙处填充金属；(5)通过Lift off工艺去除纳米球自组装层，得到阵列化的金属纳米结构芯片。本发明制作的金属纳米结构芯片的光学性质可控，可应用于局域表面等离子体共振(LSPR)传感、表面增强拉曼光谱(SERS)探测领域，实现生物、化学分子的快速检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调谐 三角形 金属 纳米 粒子 阵列 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，其特征在于步骤如下：(1)根据透射波长的需要选择基底，对基底进行清洗、亲水化处理；(2)在经亲水化处理后的基底表面均匀的自组装一层纳米球；所述纳米球直径为200nm‑500nm；(3)采用反应离子刻蚀工艺对制作的纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米球的间隙的尺寸大小；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀气体流量为5SCCM‑50SCCM；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀功率为5W‑100W；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀时间为30s～300s；(4)利用刻蚀后的纳米球自组装作为模具，利用真空镀膜机在2～3×10‑4Pa的真空度下在模板表面沉积一层30nm‑60nm厚的金属膜，在球与球之间的间隙处填充金属，所填充金属的厚度为20nm‑60nm；(5)通过Lift off工艺去除纳米球自组装层，仅留下球的间隙处的金属，得到三角形金属纳米阵列化的金属纳米结构芯片，且三角形金属纳米粒子阵列的相邻粒子尖端之间的间隙＜20nm。
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