[发明专利]一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法有效
| 申请号： | 201110072771.8 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102176215A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，通过设计制作辅助器件，测量电学特性数据，获取中间数据，在中间数据的基础上提取模型参数，建立浮体结构SOI场效应晶体管的SPICE模型，并利用中间数据及辅助器件数据提取模型参数，编写宏模型，建立体引出结构SOI场效应晶体管的SPICE模型。本发明提出的建模方法考虑了体引出结构中引出部分的寄生晶体管的影响，利用该方法建立的模型系列能更加准确的反应体引出结构及浮体结构的SOI场效应晶体管的实际工作情况及电学特性，提高了模型的拟和效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 场效应 晶体管 spice 模型 系列 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：1)设计制作若干不同尺寸的体引出结构器件、浮体结构器件以及仅包含所述体引出结构器件中的体引出部分的辅助器件；2)分别测量体引出结构器件、浮体结构器件和辅助器件的各种电学特性数据；3)将所有体引出结构器件的电学特性数据减去相同测试条件下对应尺寸的辅助器件的电学特性数据，记做中间数据；4)利用所述中间数据，提取SOI场效应晶体管SPICE模型方程中体引出结构器件的所有模型参数，建立第一模型；5)利用所述辅助器件的电学特性数据，提取SOI场效应晶体管SPICE模型方程中体引出结构器件的所有模型参数，建立第二模型；6)编写由第一模型和第二模型并联组成的宏模型，建立体引出结构SOI场效应晶体管的SPICE模型；7)在步骤4)建立的第一模型的基础上，利用浮体结构器件的电学特性数据提取SOI场效应晶体管SPICE模型方程中无体引出结构器件的所有模型参数，从而得到浮体结构SOI场效应晶体管的SPICE模型。
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