[发明专利]一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法有效
| 申请号： | 201110072771.8 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102176215A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi 场效应 晶体管 spice 模型 系列 建模 方法 | ||
1.一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)设计制作若干不同尺寸的体引出结构器件、浮体结构器件以及仅包含所述体引出结构器件中的体引出部分的辅助器件；
2)分别测量体引出结构器件、浮体结构器件和辅助器件的各种电学特性数据；
3)将所有体引出结构器件的电学特性数据减去相同测试条件下对应尺寸的辅助器件的电学特性数据，记做中间数据；
4)利用所述中间数据，提取SOI场效应晶体管SPICE模型方程中体引出结构器件的所有模型参数，建立第一模型；
5)利用所述辅助器件的电学特性数据，提取SOI场效应晶体管SPICE模型方程中体引出结构器件的所有模型参数，建立第二模型；
6)编写由第一模型和第二模型并联组成的宏模型，建立体引出结构SOI场效应晶体管的SPICE模型；
7)在步骤4)建立的第一模型的基础上，利用浮体结构器件的电学特性数据提取SOI场效应晶体管SPICE模型方程中无体引出结构器件的所有模型参数，从而得到浮体结构SOI场效应晶体管的SPICE模型。
2.根据权利要求1所述的SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于：步骤1)所述体引出结构器件为T型栅引出结构器件。
3.根据权利要求1所述的SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于：步骤2)测试的各种电学特性数据包括交流和直流电学特性。
4.根据权利要求1所述的SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于：步骤4)中的SOI场效应晶体管SPICE模型方程为BSIMSOI3、BSIM4SOI或PSPSOI模型方程。
5.根据权利要求1所述的SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于：步骤5)中的SOI场效应晶体管SPICE模型方程为BSIMSOI3、BSIM4SOI或PSPSOI模型方程。
6.根据权利要求1所述的SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于：步骤6)采用Verilog-A编写宏模型。
7.根据权利要求1所述的SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，其特征在于：步骤6)编写的宏模型中第一模型和第二模型共用栅、源、漏和体四端。
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