[发明专利]多层陶瓷全面积LNO/Ag/LNO复合电极及制备方法无效
| 申请号： | 201110067097.4 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102136315A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨春;余毅;赁敦敏;余江;徐成刚;高道江;赵治国 | 申请（专利权）人： | 四川师范大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C04B35/491;B32B18/00;B32B15/04;B32B33/00 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵;肖睿泽 |
| 地址： | 610068 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 多层陶瓷全面积LNO/Ag/LNO复合电极，包括至少两片重叠放置的陶瓷片，相邻两片陶瓷片之间为“LNO导电缓冲层/Ag电极层/LNO导电缓冲层”，位于顶部和底部的陶瓷片表面依次覆盖LNO导电缓冲层、Ag电极层，LNO导电缓冲层端面的形状和面积与陶瓷片端面的形状和面积相同，Ag电极层端面的形状和面积与LNO导电缓冲层端面的形状和面积相同，所述陶瓷片与LNO导电缓冲层之间、LNO导电缓冲层与Ag电极层之间通过烧结成为一体化结构。上述复合电极制备方法的工艺步骤为：(1)陶瓷片的表面处理，(2)LNO前躯体溶液的制备，(3)第一种单元体的制备，(4)第二种单元体的制备，(5)单元体的组合与烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 面积 lno ag 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多层陶瓷全面积LNO/Ag/LNO复合电极，其特征在于包括至少两片重叠放置的陶瓷片(1)，相邻两陶瓷片(1)之间为“LNO导电缓冲层(2)/Ag电极层(3)/LNO导电缓冲层(2)”，位于顶部和底部的陶瓷片(1)表面依次覆盖LNO导电缓冲层(2)、Ag电极层(3)，LNO导电缓冲层(2)端面的形状和面积与陶瓷片(1)端面的形状和面积相同，Ag电极层(3)端面的形状和面积与LNO导电缓冲层(2)端面的形状和面积相同，所述陶瓷片(1)与LNO导电缓冲层(2)之间、LNO导电缓冲层(2)与Ag电极层(3)之间通过烧结成为一体化结构。
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