[发明专利]一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法无效
申请号: | 201110065443.5 | 申请日: | 2011-03-16 |
公开(公告)号: | CN102122119A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 施立立;周再发;黄庆安;李伟华 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06F17/50 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 汤志武 |
地址: | 211189 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法是一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法,在保证误差不大于10%的前提下,改善了传统快速推进算法对存储空间的要求,这对于实现MEMS和IC中三维光刻过程的高精度模拟具有实用意义,a.将速度值与时间值按照科学技术法的格式压缩入同一矩阵,网格点对应NarrowBand中的位置和状态值则压缩入另一个矩阵;b.根据物理、化学模型计算出的光刻胶刻蚀反应速率矩阵与压缩后的时间速度数据矩阵占用同一空间;满足以上两个条件的快速推进算法即该视为用于光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法。 | ||
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【主权项】:
一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法,其特征在于:a.将速度值与时间值按照科学技术法的格式压缩入同一矩阵,网格点对应NarrowBand中的位置和状态值则压缩入另一个矩阵;b.根据物理、化学模型计算出的光刻胶刻蚀反应速率矩阵与压缩后的时间速度数据矩阵占用同一空间;满足以上两个条件的快速推进算法即该视为用于光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进算法;本方法的基本步骤如下:1.)根据光刻模拟精度要求,将衬底细分成小正方体组成的阵列,并采用三维矩阵来代表阵列,确定光刻材料、工艺条件信息和总的光刻时间;2.)定义曲面边界的点为NarrowBand,内部的点为Alive,外部的点为FarAway,根据光刻的物理、化学模型,初始化所有点的速度值,并分别初始化Alive、NarrowBand和FarAway中的时间值、状态值及网格点对应NarrowBand中的位置;3.)根据NarrowBand中点的时间值的大小建立最小堆,用以保存NarrowBand中网格点的坐标值和对应时间值和快速查找最小值;4.)将时间值和速度值用科学技术法表示,并压缩入一个矩阵中,网格点对应最小堆下标值和状态值则压缩入另一个矩阵,在保证误差要求的前提下减小存储空间;5.)查找NarrowBand中时间值最小的点,并将其从NarrowBand中去除,添加至Alive,可以认为当前时间即为这个点的时间值,添加它的非Alive邻点至NarrowBand,根据速度和时间的Hamilton‑Jacobi方程来更新这些邻点的时间值,以上循环直至时间值到达预设的光刻时间,则材料在预设的光刻时间时的表面形貌由NarrowBand中的点所组成的曲面表示。
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