[发明专利]硅片金属化方法无效
| 申请号： | 201110064375.0 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102676996A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 方辉;雷述宇 | 申请（专利权）人： | 北京广微积电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 阚梓瑄 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了硅片金属化层及硅片金属化方法。硅片金属化层包括沉积于硅片上需要金属化区域的粘附层、沉积于所述粘附层上面的阻挡层，以及沉积于所述阻挡层上面的保护层。其中阻挡层包括沉积于所述粘附层的第一镍层、沉积于所述第一镍层的缓冲层以及沉积于所述缓冲层的第二镍层。本发明的硅片金属化层在温度变化时能有效避免阻挡层出现龟裂。本发明的硅片金属化方法包括：在同一真空室内以溅射工艺或蒸发工艺在硅片上依次粘附层，由第一镍层、缓冲层和第二镍层构成的阻挡层以及积保护层。本发明的硅片金属化方法不但能大幅度降低废片的产生，而且工艺简单，便于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片金属化层，包括沉积于硅片上需要金属化区域的粘附层、沉积于所述粘附层上面的阻挡层，以及沉积于所述阻挡层上面的保护层，其特征在于，所述阻挡层包括沉积于所述粘附层上的第一镍层、沉积于所述第一镍层上的缓冲层以及沉积于所述缓冲层上的第二镍层。
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