[发明专利]三芳胺类空穴传输材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110063962.8 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102191042A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘宝军;孙英杰 | 申请（专利权）人： | 河北德隆泰化工有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C07D209/86;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 051430 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种稳定性好、能够提供器件的亮度效率和寿命的三芳胺类空穴传输材料及其制备方法。本发明目的三芳胺类空穴传输材料，包括化合物N，N’-二苯基-N，N’-二(4-(9H-咔唑)联苯基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺。本发明的三芳胺类空穴传输，由于其材料内部不含有高对称性结构，可以提高薄膜无定形态的稳定性，因此，作为空穴传输层应用于有机电致发光器件，可以提高空穴在器件中的传输速率，并有效地将电子阻挡在发光层内，实现载流子的最大复合，同时降低空穴在注入过程中的能量势垒，从而提高器件的亮度效率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 三芳胺类 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三芳胺类空穴传输材料，包括如下化合物：![]()
其中N位置上的R基为苯或者烷基苯。
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