[发明专利]水膜快速擦写导电聚偏乙烯导电层的方法无效

专利信息
申请号: 201110059910.3 申请日: 2011-03-14
公开(公告)号: CN102248688A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 刘莹;蒋毅坚 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: B29C71/04 分类号: B29C71/04
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 魏聿珠
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出了一种水膜快速擦写导电聚偏乙烯导电层的方法,在预清除导电层的上方覆盖水膜,采用准分子激光辐照技术在作用区域内产生高温高压环境,导电层在水膜激光汽化过程中被破坏而去除。被还原的材料表面通过激光辐照可迅速再次改性,从而达到了材料的重复利用。
搜索关键词: 快速 擦写 导电 乙烯 方法
【主权项】:
水膜快速擦写导电聚偏乙烯导电层的方法,其特征在于:准分子激光辐照改性光路沿光的传播方向依次设置激光器1、第一级复眼2、第二级复眼3、第一级物镜4、第二级物镜5、反射镜6及样品台7;有导电聚偏乙烯导电层的试样9放置于工作台上,水膜10为纯净水,通过胶头滴管附于导电层上;试样9处的激光辐照能量密度通过激光输出能量及辐照面积进行调节,试样9上的导电聚偏乙烯导电层表面电导率可通过激光能量密度及脉冲个数进行调节;实现导电聚偏乙烯导电层水膜快擦写的过程按以下步骤进行:1)将厚度大于或等于0.5毫米的导电聚偏氟乙烯PVDF试样9固定在水平样品台7上;其导电层8的电导率通过四探针测量获得为1.83×10‑3Ω‑1cm‑1;2)采用红光激光器进行准直;使经过准分子激光辐照光路系统后的激光光斑与导电层位置保持垂直重合,以达到均匀辐照的目的;3)添加水膜。通过胶头滴管将纯净水以液滴的形式附于导电层上,使其逐步扩散覆盖到所需清除区域;4)调节激光器激光的输出能量值,以使材料上所添加的水膜能够蒸发为宜,打开激光器1进行准分子激光水下去除导电层操作;5)关光,调节激光改性所需能量密度,对被还原的材料表面进行二次改性操作。
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