[发明专利]等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置无效
| 申请号： | 201110059111.6 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102194664A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 八重樫英民;本田昌伸;清水昭贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置，在蚀刻含有无机膜与有机膜的积层遮罩膜而形成线部时，或者蚀刻遮罩膜而形成邻接线部的间隔不同的多种线部时，可以独立控制晶片面内的线部的线宽及高度的分布。所述等离子蚀刻方法通过对基板(W)照射含有荷电粒子与中性粒子的等离子，而对基板(W)进行等离子蚀刻，通过调整支撑部(105)支撑的基板(W)面内的温度分布，来控制基板(W)面内的基板(W)与中性粒子反应的反应量的分布，并且通过调整支撑部(105)支撑的基板(W)、和以与支撑部(105)对向的方式设置的电极(120)的间隔，来控制基板(W)面内的荷电粒子的照射量的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子蚀刻方法，通过对基板照射含有荷电粒子与中性粒子的等离子，而对所述基板进行等离子蚀刻，其特征在于：通过调整支撑部支撑的所述基板面内的温度分布，来控制所述基板面内的所述基板与所述中性粒子反应的反应量的分布，通过调整所述支撑部支撑的所述基板和以与所述支撑部对向的方式设置的电极的间隔，来控制所述基板面内的所述荷电粒子的照射量的分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
