[发明专利]一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110054019.0 申请日: 2011-03-08
公开(公告)号: CN102157622A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 黄寓洋;张耀辉;殷志珍;崔国新;张宇翔;冯成义;李文 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域,这种制造方法,包括:使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的多结p-n结串联的太阳能电池外延材料;使用光刻技术和刻蚀技术腐蚀出下接触层台面,将腐蚀台面刻蚀到下层隔离层;使用沉积方法在太阳能电池外延材料正面生长钝化绝缘层,并使用光刻和刻蚀技术开出电极窗口和入光窗口;使用光刻和镀膜技术在电极窗口和钝化绝缘层上制备电连接层,通过剥离技术和退火工艺,形成顶接触层和下接触层之间的电连接。这种太阳能电池的特点是高效,高压输出,轻量和柔性。
搜索关键词: 一种 串联式 单片 集成 薄膜 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)、太阳能电池外延材料生长环节,使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积太阳能电池外延材料,太阳能电池外延材料至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p‑n结结构、顶接触层;(2)、使用光刻技术和刻蚀技术腐蚀出下接触层台面;(3)、使用光刻技术和刻蚀技术将下接触层台面刻蚀到下层隔离层;(4)、使用沉积方法在太阳能电池外延材料正面生长钝化绝缘层;(5)、在钝化绝缘层上使用光刻技术和刻蚀技术开出电极窗口和入光窗口;(6)、使用光刻技术和镀膜技术在电极窗口和钝化绝缘层上制备电连接层;(7)、使用剥离技术和退火工艺,顶接触层和下接触层之间通过电连接层实现电连接。
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