[发明专利]纳米B4C掺杂的致密二硼化镁超导体及其制备方法无效
| 申请号： | 201110053452.2 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102229497A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 余新泉;施智祥;余海涛;张友法;胡敏强;陈锋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种纳米B4C掺杂的致密二硼化镁超导体，掺杂有纳米B4C，其组成是镁粉和硼粉且其原子比为0.9∶2至1.1∶2，加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%的制备方法，将干燥的镁粉、硼粉和纳米B4C三种组元，按照镁粉和硼粉的原子比为0.9∶2至1.1∶2，加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%的比例在混粉机中充分混合，将粉料装入低碳钢管中压实，然后焊合钢管两端，在二辊轧机中轧到原尺寸的30-50%形成带状试样；在常压的氩气氛炉内烧结，烧结炉预先设定温度为900-1100℃，将带状试样置于炉内烧结15-30分钟，制备得到低碳钢管内的纳米B4C掺杂的二硼化镁超导体。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 sub 掺杂 致密 二硼化镁 超导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米B4C掺杂的致密二硼化镁超导体，其特征在于：a. 二硼化镁超导体掺杂有纳米B4C，其组成是镁粉和硼粉且其原子比为0.9∶2至1.1∶2，加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%，b. 其中镁粉的纯度为98%至99%，粒度300至400目；硼粉的纯度为98%至99%，粒度300至400目；纳米B4C的尺寸控制在20nm到80nm范围。
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