[发明专利]三氯硅烷制造装置有效
| 申请号： | 201110052378.2 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102190304A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 三宅政美;水岛一树;斋木涉;村上直也 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种三氯硅烷制造装置，其简化了抑制反应室内的加热器表面的最高温度的同时增大反应室内的传热面积且能够以高的热效率加热供给气体的结构，且装配及检查等作业性优异。其具备：反应室(101)，供给原料气体而生成包含三氯硅烷和氯化氢的反应气体；多个加热器(20)，形成有在反应室(101)内沿上下方向设置并加热原料气体的发热部(21)；多个电极(23)，连接于这些加热器(20)的基端部(22)；及多个辐射板(24)，设置于加热器(20)的发热部(21)彼此之间。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种三氯硅烷制造装置，其由包含四氯化硅和氢气的原料气体制造三氯硅烷，其特征在于，具备有：反应室，供给所述原料气体而生成包含三氯硅烷和氯化氢的反应气体；多个加热器，具备在所述反应室内沿上下方向设置的发热部，并加热所述原料气体；多个电极，连接于这些加热器的基端部；及辐射板，设置于所述加热器的发热部彼此之间。
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