[发明专利]电荷平衡功率器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110052282.6 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102655172A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 尹钟晚;金秀圣;吴侊勋 | 申请（专利权）人： | 特瑞诺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种电荷平衡功率器件及其制造方法。所述电荷平衡功率器件包括：电荷平衡体区，其中排列有作为第一导电型杂质区的一个或多个第一导电型柱和作为第二导电型杂质区的一个或多个第二导电型柱；形成在所述电荷平衡体区上的第一导电型外延层；以及形成在所述第一导电型外延层中的晶体管区。在本发明中，不管形成在晶片表面上的晶体管区的结构如何，都可以形成相同的电荷平衡体区。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 平衡 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电荷平衡功率器件的晶片结构，包括：电荷平衡体区，其中排列有作为第一导电型杂质区的一个或多个第一导电型柱和作为第二导电型杂质区的一个或多个第二导电型柱；以及被设置在所述电荷平衡体区上的第一导电型外延层，其中，排列在所述电荷平衡体区中的所述一个或多个第二导电型柱与在所述第一导电型外延层中形成的晶体管区中所形成的一个或多个第二导电型阱不是垂直对齐的。
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