[发明专利]高功率蓝绿激光芯片封装结构及方法无效
申请号: | 201110051951.8 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102340094A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 杜寅超;李向阳;苏红平 | 申请(专利权)人: | 南京长青激光科技有限责任公司 |
主分类号: | H01S3/08 | 分类号: | H01S3/08;H01S3/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210046 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种高功率蓝绿激光芯片封装结构及方法,属于激光技术领域。本发明通过在激光晶体入射光面和周期极化铌酸锂(PPLN)非线性变频晶体的出射光面镀膜形成激光谐振腔结构,在芯片通光方向上两晶体相对的光学面之间通过隔离材料隔出一定的距离,使之构成高功率蓝绿激光芯片结构。在芯片四周通过胶水与夹料粘合,起到加固晶体的作用。 | ||
搜索关键词: | 功率 蓝绿 激光 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
高功率蓝绿激光芯片封装结构,其特征在于:通过在激光晶体入射光面和周期极化铌酸锂(PPLN)非线性变频晶体的出射光面镀膜形成激光谐振腔结构,在芯片通光方向上两晶体相对的光学面之间通过隔离体材料隔出一定的距离,使之构成高功率蓝绿激光芯片结构。
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