[发明专利]晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆

摘要

晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆，符合新型高效太阳能电池制造工艺对Ag浆“高导、低杂、低腐蚀、低扩散、共烧成膜”的配套要求，在太阳能电池烧结曲线温度范围内，有效穿透PEVCD法制备的Si3N4减反射膜，并保护其功能；在电池的正硅面，到达的Ag与Si共晶合金化烧结，形成的金属化电极，实现AgSi欧姆接触；由烧结活化材料所实现的受控的有限活化的方法和作用元素，有利于Ag扩散的减少，不破坏周边的Si3N4减反射膜，可阻止Ag浆中玻璃对硅面的浸蚀，防止Ag浆中复杂成分进入电池内部，扩大了快烧工艺的适应性；选择的Ag粉及其改性方法有利于颗粒的空间堆砌和覆盖作用，有利于Ag厚膜电极印烧精细度和高宽比的提高，所述正栅电极Ag浆以其良好的电性能和工艺性能，可提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率，能稳定适用于高效太阳能电池产品的大规模工业化生产。

主权项

晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆，其特征在于：在用Ag粉、烧结粘接剂和有机黏合剂制备的浆料中，为在硅面烧成Ag‑Si欧姆接触，添加了晶体硅太阳能电池正面Ag栅电极专用的烧结活化材料，特别是这种烧结活化材料含有金属元素Mg，含量占浆料重量的100PPM～5％(wt)，加人的Mg元素的存在形式包括：Mg的单质，例如超细Mg粉；含Mg的合金：例如Ag‑Mg，Ag‑Mg‑Ni以及Mg‑Pb，Mg‑Sn，Mg‑Zn，Mg‑Ni系的二元及多元合金；Mg的金属化合物，例如含AgMg，Ag3Mg，Mg2Pb，Mg2Sn的材料，以及所述各类的混合料、复合材料。