[发明专利]载置台构造和处理装置有效
申请号: | 201110049688.9 | 申请日: | 2008-01-16 |
公开(公告)号: | CN102157427A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 小松智仁;山本弘彦;鸟屋大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 载置台构造和处理装置。在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。 | ||
搜索关键词: | 载置台 构造 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种载置台构造,包括:载置台主体,该载置台主体为陶瓷制的载置台主体,在所述载置台主体的内部埋设有被馈电导体部,并且在所述载置台主体的表面形成有凹部形态的连接孔,与所述被馈电导体部电接合的连接端子从所述连接孔内露出;馈电用线路部件,该馈电用线路部件具有为了向所述被馈电导体部进行馈电而将前端插入到所述连接孔内的馈电用连接器部;和支撑所述载置台主体的支柱,所述载置台构造的特征在于:所述连接端子和所述馈电用连接器部均由高熔点金属构成,所述连接端子和所述馈电用连接器部利用钎料而接合,所述钎料选自由Au构成的Au钎料与由Ag和Ti构成的Ag‑Ti钎料中的1种钎料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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