[发明专利]一种多孔氮化镓衬底的处理方法及氮化镓膜的生长方法有效
| 申请号： | 201110043595.5 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102644119A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王新中;王瑞春;谢华;何国荣;刘德新;杜军;高潮 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B25/20 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于材料制备领域，提供了一种多孔氮化镓衬底处理方法，所述方法包括对经刻蚀的多孔氮化镓衬底在800-1000℃下进行氨氛围退火。本发明还提供了一种氮化镓膜生长方法，包括对经刻蚀的多孔氮化镓衬底在800-1000℃下进行氨氛围退火，然后利用其进行氮化镓膜的生长。该多孔氮化镓衬底的处理方法能够减少氮化镓膜中的位错密度和缺陷，改善晶体质量，且简单易行，适合于科学实验和批量生产时采用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氮化 衬底 处理 方法 生长 | ||
【主权项】：
一种多孔氮化镓衬底的处理方法，其特征在于，所述方法包括对经刻蚀的多孔氮化镓衬底在800‑1000℃下进行氨氛围退火。
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