[发明专利]低温快速过电流保护元器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110027685.5 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102176358A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王群林;孙天举;刘正平;王军 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及低温快速过电流保护元器件及其制造方法，PTC材料电阻率小于0.3Ω.cm，包含：结晶性聚合物，为茂金属催化的烯烃类聚合物，熔点80-95℃，密度0.813-0.913g/cm3；导电碳黑，平均粒径25-85nm，吸油量50-130cc/100gm；相容剂，为接枝改性聚合物，熔点55-70℃；制造方法包括：密炼机中加入结晶性聚合物，加入部分导电碳黑密炼，再加入剩余导电碳黑密炼，加入相容剂密炼，出料，用开炼机制成芯片，即PTC材料层，上、下均放上金属箔片，进行压合，制得复合片状PTC芯材。优点是：由于PTC元件的低温转折特性，可以对回路起到过温保护特性。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 快速 电流 保护 元器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温快速过电流保护元器件，其包含两个金属箔片（2，2’）和一个PTC材料层（1），其特征在于：上、下两金属箔片（2，2’）的粗糙性表面与PTC材料层（1）为直接性物理接触，所述PTC材料层（1）介于所述上、下两金属箔片（2，2’）之间，且电阻率小于0.3Ω.cm，该PTC材料包含：至少一种结晶性聚合物；导电碳黑，平均粒径介于25nm～85nm之间，吸油量介于50cc/100gm～130cc/100gm之间，且均匀分散于所述至少一结晶性聚合物中；相容剂，为接枝改性聚合物，其熔点在55℃～70℃之间； 其中，至少一结晶性聚合物为茂金属催化的烯烃类聚合物，熔点在80℃～95℃之间，结晶度在10%～25%之间，密度在0.813g/cm3～0.913g/cm3之间。
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