[发明专利]一种二维深度自由流电泳芯片的制备方法无效
| 申请号： | 201110026958.4 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102183388A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 邓玉林;丁惠;徐建栋;吕雪飞;胡晓明;耿利娜;李勤 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N27/447 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张利萍;高燕燕 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于微流控芯片的加工制作技术领域，为一种二维深度自由流电泳芯片的制备方法。首先，采用标准光刻-湿法刻蚀的方法，将通道结构图案转移到玻璃平板上，形成微通道，打孔制成芯片顶板；其次，将铂电极片固定于芯片上下两板间，其中玻璃抛光片为芯片底板，或者将镀有电极的芯片顶板与底板合并，通过虹吸作用将紫外光固化胶填充于两板缝隙之间；再次，用掩膜将自由流电泳芯片的功能区保护起来，经紫外光光照实现芯片的封接；最后，用有机溶剂将未聚合凝固的光胶冲出芯片内腔，静置老化，备用。本发明无需使用复杂的仪器设备及严格的实验条件，就可快速简便地制作出含有两种深度结构的自由流电泳芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 深度 自由 流电 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二维深度自由流电泳芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：首先，采用标准光刻‑湿法刻蚀的方法，将通道结构图案转移到玻璃平板上，形成微通道，打孔制成芯片顶板；其次，将铂电极片固定于芯片上下两板间，其中玻璃抛光片为芯片底板，或者将镀有电极的芯片顶板与底板合并，通过虹吸作用将紫外光固化胶填充于两板缝隙之间；再次，用掩膜将自由流电泳芯片的功能区保护起来，经紫外光光照实现芯片的封接；最后，用有机溶剂将未聚合凝固的光胶冲出芯片内腔，静置老化，备用。
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