[发明专利]在类金刚石薄膜表面制备羧基改性层的方法及由该法所制备的类金刚石薄膜有效
| 申请号： | 201110026613.9 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102051579A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 何振辉;王俊;王自鑫;陈弟虎;薛玉琪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在类金刚石(DLC)薄膜表面制备羧基改性层的方法。该方法是在常温、气相条件下，应用低能射频等离子体激发工艺对DLC薄膜表面进行羧基改性，并对羧基改性后的DLC薄膜表面进行氢化处理，制备出具有稳定羧基改性层的DLC薄膜；羧基改性层与DLC表面碳层结合牢固，改性层厚度小于10nm。该方法制备的羧基改性层的羧基含量高，纯度高，并且不会改变薄膜内部原有的物理化学特性，可应用于生物传感器、生物材料等生物医学领域。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 薄膜 表面 制备 羧基 改性 方法 | ||
【主权项】：
一种在类金刚石薄膜表面制备羧基改性层的方法，其特征在于其是采用原位低能射频等离子体激发方法，该方法包括以下步骤：(1)用磁控溅射法沉积类金刚石薄膜，本底真空为2×10‑2～1×10‑4Pa；(2)在完成类金刚石薄膜沉积后，原位通入不饱和羧酸气体；(3)施加低能射频，启辉。
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