[发明专利]高压制备磁致冷材料化合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201110026491.3 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102127396A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张朋越;葛洪良;崔玉健;杨杭福;宫杰;陈侃;刘婷婷 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | C09K5/02 | 分类号： | C09K5/02 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压制备磁致冷材料化合物及其制备方法。本发明的高压制备磁致冷材料化合物的化学组成式为La0.5Pr0.1Ca0.4(GaxInyMnz)O3。所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质，镓Ga和铟In为点缺陷控制的辅助掺杂离子，原料中选取一种或两种。Ca、La和Pr为基质组元离子。本发明主要采用原位高压烧结工艺法来调控化合物材料体系的点缺陷，控制晶体结构的键长和键角以及电子输运效应来提高其磁滞冷性能，获得较好使用性能，提高化合物的磁熵变值，同时钙钛矿结构有良好的材料稳定性、无毒副作用、成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 制备 致冷 材料 化合物 及其 方法 | ||
【主权项】：
高压制备磁致冷材料化合物，其特征在于所述化合物的化学组成式为La0.5Pr0.1Ca0.4(GaxInyMnz)O3，所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3为基质，镓Ga和铟In为点缺陷控制的辅助掺杂离子，其中0≤x≤1.0，0≤y≤1.0，且x+y+z=1。
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