[发明专利]硅合金烧结体的制造方法无效
| 申请号： | 201110024080.0 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102127671A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 渡边敏幸;松下昌史;樱井利隆;佐藤一也;松下洋子 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼杰股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C29/00 | 分类号： | C22C29/00;C22C29/16;C22C1/04;B22F3/10;B22F3/14;C01B21/068;C01B33/06 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 苏萌;钟守期 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明也提供一种硅合金烧结体的制造方法，作为组合使用湿式化合物法与毫米波烧结法的硅合金烧结体的制造方法，其特征在于：以本发明的硅合金粉末作为原料，藉由：添加0.1～10重量％的以硅、铝为主成分的无机粘合剂或者不添加该无机粘合剂制造含水化合物的制造步骤、将该含水化合物成形为中间制品形状或者完成品形状的成形步骤、以及通过干燥而使含水量为1重量％以下的干燥步骤这些步骤来制造未烧结成形品；将该未烧结成形品在保持在常压或常压以上的氮气氛中，藉由在15GHz以上的毫米波环境中的毫米波加热，在1300～1900℃的温度范围内以及30分钟～3小时的加热时间进行烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 烧结 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅合金烧结体的制造方法，其特征在于：以含有30～70重量％的硅、10～45重量％的氮、1～40重量％的铝、以及1～40重量％的氧的硅合金制成的粒径在1微米以下的粉状体的硅合金粉末作为原料，藉由：添加0.1～10重量％的以硅、铝为主成分的无机粘合剂或者不添加该无机粘合剂来制造含水化合物的制造步骤、将该含水化合物成形为中间制品形状或者完成品形状的成形步骤、以及通过干燥使含水量达到1重量％以下的干燥步骤这些步骤来制造未烧结成形品；将所得的未烧结成形品在保持在常压或常压以上的氮气氛中，藉由15GHz以上的毫米波环境中的毫米波加热，于1300～1900℃的温度范围以及30分钟～3小时的加热时间，进行烧结。
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