[发明专利]光电二极管阵列、辐射检测器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110009950.7 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102183777A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔.米斯;斯蒂芬.沃思 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 谢强 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种辐射检测器(7)的光电二极管阵列(1)，具有多个结构化设置的光电二极管(2)，为了将光转换为电信号，这些光电二极管(2)分别具有活跃的像素区域(6)，其中，在至少一部分光电二极管(2)的活跃的像素区域(6)上在该光电二极管阵列(1)的为安置闪烁体阵列(3)而设置的面上设有透明氧化物层(5)，该氧化物层(5)具有与该光电二极管(2)相应的折射率。相对于公知的光电二极管阵列氧化物层(5)替代粘合剂。在氧化物层(5)和光电二极管阵列(1)之间的界面上通过均衡折射率使到达的光更少折射或反射。由此使相邻像素(9)之间的光学串扰降低。此外，通过氧化物层(5)光学地可见光电二极管(2)的活跃的像素区域(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 阵列 辐射 检测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于辐射检测器(7)的光电二极管阵列(1)，具有多个结构化设置的光电二极管(2)，为了将光转换为电信号，这些光电二极管(2)分别具有活跃的像素区域(6)，其中，在至少一部分光电二极管(2)的活跃的像素区域(6)上在该光电二极管阵列(1)的为安置闪烁体阵列(3)而设置的面上设有透明氧化物层(5)，该氧化物层(5)具有与该光电二极管(2)相应的折射率。
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