[发明专利]用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构的制备方法有效
| 申请号： | 201110009675.9 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102097268A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 丁桂甫;刘启发;汪红;王艳;邓敏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/24 | 分类号： | H01J9/24;B82Y40/00;H01J17/30;H01J17/49 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体显示器技术领域的用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构及其制备方法，通过PDP前面板预处理，在介质层上溅射种子层；在种子层上依次进行旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影，留出要添加碳纳米管结构的指定区域；对指定的区域进行掩膜复合电镀、复合化学镀或电泳，生长出复合碳纳米管结构：对碳纳米管进行前处理并将预分散后的碳纳米管加入电镀、化学镀或电泳的基础液中进行碳纳米管结构的生长；用丙酮或乙醇分别进行浸泡刻蚀，去除光刻胶并清洗后用碱性Cu刻蚀液和Cr刻蚀液去除种子层，得到碳纳米管辅助结构。本发明可产生更多的启动电子，在放电过程中有更大量的电子可增大放电能量给电子的分配率，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 显示器 纳米 辅助 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、PDP前面板预处理，在介质层上溅射Cr‑Cu种子层；第二步、在种子层上依次进行旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影，留出要添加碳纳米管结构的指定区域；第三步、对指定的区域进行掩膜复合电镀、复合化学镀或电泳，生长出复合碳纳米管结构：对碳纳米管进行前处理并以2‑10g/L的比例将预分散后的碳纳米管在磁力搅拌、空气搅拌或超声搅拌的方式下进行复合镀或电泳；第四步、用丙酮或乙醇分别对样品进行浸泡刻蚀，去除光刻胶；最后分别用碱性Cu刻蚀液和Cr刻蚀液完全去除Cr‑Cu种子层，得到碳纳米管辅助结构。
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