[发明专利]用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110009675.9 申请日: 2011-01-18
公开(公告)号: CN102097268A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 丁桂甫;刘启发;汪红;王艳;邓敏 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01J9/24 分类号: H01J9/24;B82Y40/00;H01J17/30;H01J17/49
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 等离子体 显示器 纳米 辅助 结构 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及的是一种等离子体显示器技术领域的方法,具体是一种用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构的制备方法。

背景技术

等离子体显示器(PDP)最早于1964年诞生于美国,在这之后经历了半个世纪的发展,无论是在器件材料还是在工艺技术方面,都得到了飞快的进步。材料方面,介质层、荧光粉、特殊基板玻璃、氧化镁保护层、新型障壁材料等得到了有效的开发研究;工艺技术方面,手动寻址、自动寻址、新型驱动技术、新的障壁结构等等都逐步被开发研究;在以上这些技术和材料不断发展的同时,PDP的像素得到迅速的提升。正是因为这种不断的创新、新材料和技术的层出不穷、对关键技术的发展等促使了目前一段时间以来大尺寸等离子电视的爆发性发展。虽然对PDP的研究和成品化都已经经历了成熟的发展阶段,但是至今其尚存较多不足之处。其中光效低、能耗高、生产成本高是其最主要的缺点。但是与此同时,PDP与其当今主要的市场竞争对手CRT(背投电视)、LCD(液晶显示器)和OLED(有机电致发光二极管显示器)等相比有着不可小视的优势:屏幕不存在聚焦问题,超薄超轻;宽的视角视野开阔、色彩还原性好、色域宽、色彩更鲜艳、大尺寸优势、相应时间快、动态图像清晰。这些优点都是其他显示技术望尘莫及的。未来电视的发展趋势将是高清、大屏幕和3D,而在这些方面等离子显示器是恰恰占有优势的。所以如果能改进或克服PDP的缺陷,对PDP技术的继续研发有着很大的必要性和价值所在。

对于家用电器来讲,功耗是消费者在选择电视时考虑的的一个主要因素,所以降低PDP能耗是一个紧迫的任务。等离子电视的功耗属于动态功耗,即不同的画面亮度消耗的功率也是不同,是随画面亮暗动态变化的,而画面明暗的区别是依靠控制点火频率来实现的,所以如果能降低每次放电的驱动电压,就可以实现明暗画面的功耗都得到降低。

驱动电压的降低可以通过对PDP结构、材料、放电气体的改进来实现。一般来讲,电极间距越小、放电空间越小,驱动电压越小,但是这会同时引起光效、亮度等的降低,所以需要综合考虑,故现如今的等离子显示器的结构已经几近优化,通过改变结构来降低驱动的空间已经很小;使用二次电子反射率更高的材料来代替氧化镁,无疑可以降低驱动电压,但是在这种新材料的寻求和研究方面还有很长的路去走;对于放电气体组分或压强的改变同样也是把双刃剑,降低驱动电压的同时也会使光效降低。

经过对现有技术的检索发现,Won Tae LEE等在Jpn.J.Appl.Phys.Vol.41(2002)pp.6550-6552,Part 1,No.11A,November 2002发表的文章“MgO/Carbon Nanotubes Protective Layerin AC-Plasma Display Panels”中,将碳纳米管引入到了PDP器件当中。制作方法是将碳纳米管与玻璃粉混合并加入其他助剂作为碳纳米管浆料,用丝网印刷的方法将碳纳米管印刷于PDP前面板的介质层之上,然后进行热处理;其另外一种方法是用化学气相沉积将制备出的碳纳米管直接沉积在预先溅射有镍的PDP介质层上。该方法主要有两个不足之处,一个是将碳纳米管引入到整个前面板无疑会极大影响PDP的透光率;另外由于制作方法的限制,碳纳米管会平躺于基体上,从而导致场发射性能较差。

发明内容

本发明针对现有技术存在的上述不足,提供一种用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构的制备方法,使得冷阴极发射可以产生更多的启动电子,以降低驱动电压。另外在放电过程中有更大量的电子,可以增大放电能量给电子的分配率,提高发光效率。

本发明是通过以下技术方案实现的:

本发明一种碳纳米管辅助结构的制备方法,包括以下步骤:

第一步、PDP前面板预处理,在介质层上溅射Cr-Cu种子层。

所述的PDP前面板是指传统表面放电型交流等离子体显示器(AC-PDP)前面板,包括前面板玻璃基体、透明电极和汇流电极组成的地址电极、玻璃粉介质层。

所述的预处理是指用纳米碳酸钙调成糊状进行物理擦洗,以产生洁净且具有合适粗糙度的表面,然后洗净烘干;所述Cr-Cu种子层的厚度为100-1000nm。

所述Cr-Cu种子层的厚度为100-1000nm。

第二步、在种子层上依次进行旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影,留出要添加碳纳米管结构的指定区域。

所述的光刻胶厚度为2-10μm。

所述的旋涂、洪胶、曝光、显影是指用UV光刻技术把光刻胶进行图形化。

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