[发明专利]高压器件的栅极电容模型有效
| 申请号： | 201110004409.7 | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102591998A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 武洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压器件的栅极电容模型，包括BSIM模型栅极电容、栅极场板与源极端之间形成的栅源交叠电容、或栅极场板与漏极端之间形成的栅漏交叠电容。本发明在现有BSIM模型栅极电容的基础上，加入了栅极场板引入的交叠电容，从而能够有效提高高压器件模型精度、提高高压集成电路仿真精度、节约电路设计周期。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 器件 栅极 电容 模型 | ||
【主权项】：
一种高压器件的栅极电容模型，栅极电容模型包括BSIM模型栅极电容，其特征在于：所述栅极电容模型还包括栅极场板与源极端之间形成的栅源交叠电容、或所述栅极场板与漏极端之间形成的栅漏交叠电容。
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