[发明专利]一种刻蚀方法有效
申请号: | 201110002838.0 | 申请日: | 2011-01-07 |
公开(公告)号: | CN102593041A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 黄莉;齐龙茵;奚裴 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明所提供的刻蚀方法,通过比较待刻蚀图案与已有刻蚀图案、测试基片形貌与标准形貌、测试各基片的金属刻蚀终点时间,并观察各基片金属刻蚀终点时间是否有下降趋势的步骤、比较最后一个测试基片的形貌与标准形貌的步骤。在各基片金属刻蚀终点时间有下降趋势,以及最后一个被刻蚀的测试基片的形貌测试结果与所提供的刻蚀程式适用于所提供的待刻蚀图案时的形貌不相符的情况下,可以判定所提供的刻蚀程式不适合于待刻蚀图案,从而在所提供刻蚀程式不适合于所提供的刻蚀图案的情况下可以尽早将所提供的刻蚀程式放弃,节省了判断的时间,加快了生产进度。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种刻蚀方法,包括:a.提供刻蚀程式、待刻蚀图案、标准刻蚀形貌、电学性能参数、测试基片以及待刻蚀基片;b.对比与所提供的刻蚀程式对应的刻蚀图案和所提供的待刻蚀图案的密度,如果相同,则采用所提供的刻蚀程式刻蚀所提供的待刻蚀基片,如果不相同,则进入步骤c;c.根据所提供的刻蚀程式,刻蚀所提供的测试基片,并测试刻蚀后测试基片的形貌,对比所得到的形貌测试结果与所提供的标准刻蚀形貌,如果不相符,则放弃所提供的刻蚀程式,如果相符,则进入步骤d;d.根据所提供的刻蚀程式对所提供的测试基片进行刻蚀,测试多个测试基片的金属刻蚀终点时间,并对比所述金属刻蚀终点时间的变化趋势,如果有下降趋势则放弃所提供的刻蚀程式,如果没有下降趋势,进入步骤e;e.选择最后一个刻蚀的测试基片进行形貌测试,并对比所得到的形貌测试结果与所提供的标准刻蚀形貌,如果不相符,则放弃所提供的刻蚀程式,如果相符,则进入步骤f;f.对刻蚀后的测试基片做电学性能测试,并对比所述电学测试结果与所提供的电学性能参数,如果相符,则以所提供的刻蚀程式刻蚀所提供的待刻蚀基片,如果不相符,则放弃所提供的刻蚀程式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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