[发明专利]聚合物薄膜及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201080069944.4 申请日: 2010-11-05
公开(公告)号: CN103189207A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 陈鑫;P·哈迪 申请(专利权)人: 埃克森美孚化学专利公司
主分类号: B32B27/32 分类号: B32B27/32;B32B37/00;B32B37/14;C08L23/04;C08L23/10;C08L23/14;C08L23/16;C08L23/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 夏正东
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在一个方面中,本发明的公开内容涉及含至少一个层A和至少一个层B的多层聚合物薄膜;其中层A和层B中的至少一层进一步包括丙烯衍生的单元和一种或更多种C2,与C4-C10α-烯烃衍生的单元的至少一种共聚物,该共聚物具有:(a)C2,和/或C4-C10α-烯烃衍生的单元含量范围为约5-30wt%;(b)分子间组成分布大于或等于75%;(c)Tm范围为约25℃-约110℃;(d)Hf范围为约0.5-约70J/g;(e)Mw/Mn范围为约1.2-约4.5;和(f)MFR范围为约0.1-约40g/10min;和其中在0.75秒的停留时间下,多层聚合物薄膜的密封强度大于6.25N/cm。
搜索关键词: 聚合物 薄膜 及其 制造 方法
【主权项】:
一种多层聚合物薄膜,它包括:含第一聚合物树脂的至少一个层A,第一聚合物树脂包括丙烯衍生的单元且具有:(1)丙烯衍生的单元含量大于90wt%,基于第一聚合物树脂的重量;(2)峰值熔融温度(Tm)大于120℃;和(3)熔体流动速率(MFR)范围为约0.1‑约100g/10min;和含第二聚合物树脂的至少一个层B,第二聚合物树脂包括乙烯衍生的单元且具有:(a)密度范围为约0.905‑约0.945g/cm3;(b)乙烯衍生的单元含量大于50wt%,基于第二聚合物树脂的重量;(c)组成分布宽度指数(CDBI)大于50%;(d)熔融指数(MI)范围为约0.1‑约5.0g/10min;和(e)支化指数(g')大于约0.7;和其中层A和层B中的至少一层进一步包括丙烯衍生的单元和一种或更多种C2,与C4‑C10α‑烯烃衍生的单元的至少一种共聚物,该共聚物具有:(a)C2和/或C4‑C10α‑烯烃衍生的单元含量范围为约5‑30wt%;(b)分子间组成分布大于或等于75%;(c)峰值熔融温度(Tm)范围为约25℃‑约110℃;(d)熔化热(Hf)范围为约0.5‑约70J/g;(e)分子量分布(Mw/Mn)范围为约1.2‑约4.5;和(f)熔体流动速率(MFR)范围为约0.1‑约40g/10min;和其中在0.75秒的停留时间下,多层聚合物薄膜的密封强度大于6.25N/cm。
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