[发明专利]低电压和低功耗存储器有效
| 申请号： | 201080067067.7 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103119657A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 彭泽忠;方中岳 | 申请（专利权）人： | 四川凯路威电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/14 | 分类号： | G11C17/14;G11C17/12 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一次性可编程非易失性存储器（10）包括至少两条字线（18，20）和至少两条位线（22，24）。存储器（10）还有一个第一选择装置（14）连接到至少一条字线（20）和一条位线（22），一个栅电容元件（12）连接到至少一条字线（18）和第一选择装置（14）。存储器（10）还有一个检测装置（16）串联连接栅电容元件（12）和第一选择装置（14），检测装置（16）连接到至少两条位线(22,24)。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 功耗 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储电路，包括：至少两条字线；至少两条位线，一个第一选择装置，连接到至少一条字线和至少一条位线，一个栅电容元件，连接到至少一条字线和第一选择装置，一个检测装置，串联连接到栅电容元件和第一选择装置，检测装置连接到至少两条位线。
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