[发明专利]硅熔体的粗脱碳方法无效
| 申请号： | 201080061936.5 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102712484A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | J·欣特迈尔 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对硅熔体粗脱碳的新方法，及其用于制备硅，优选太阳能硅或者半导体硅的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 硅熔体 脱碳 方法 | ||
【主权项】：
硅熔体的粗脱碳方法，其特征在于，将载氧体添加到硅熔体中，在所有情况下所述载氧体的添加通过保持时间被中断一次或多次，，然后再继续添加。
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