[发明专利]基于锗的量子阱器件有效
| 申请号： | 201080060555.5 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102687273A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | R·皮尔拉瑞斯帝;B-Y·金;B·楚-昆古;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利罗斯;M·拉多萨佛杰维科;R·科托尔亚;W·瑞驰梅迪;N·穆克赫吉;G·德威;R·乔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种量子阱晶体管具有锗量子阱沟道区。含硅的蚀刻停止层提供栅电介质接近沟道的容易放置。III-V族势垒层对沟道增加应变。沟道区之上和之下的缓变硅锗层改进了性能。多种栅电介质材料允许使用高k值栅电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 量子 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：包括大带隙材料的下势垒区；在所述下势垒区上的包括锗的量子阱沟道区；在所述量子阱区上的包括大带隙材料的上势垒区；在所述量子阱沟道区上的间隔区；在所述间隔区上的蚀刻停止区，所述蚀刻停止区包括硅且基本上无锗；在所述蚀刻停止区上的栅电介质；在所述栅电介质上的栅电极。
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