[发明专利]用于高效锥体三维太阳能电池的结构和方法无效
申请号: | 201080060493.8 | 申请日: | 2010-11-10 |
公开(公告)号: | CN102714227A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | P·卡普尔;M·M·莫斯莱希 | 申请(专利权)人: | 速力斯公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 谭志强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开使三维薄膜太阳能电池(3-D TFSC)衬底的生产具有大批量成本效益。首先,本公开内容公开了锥体状单元电池结构16和50,通过其开放的锥体结构能够外延生长。然后本公开给出了四种3-D TFSC的实施方案70、82、100和110,其可根据需要进行结合。具有衬底、发射极、发射极上的氧化物、前和背金属接触的基础3-D TFSC加工简单。其它实施方案公开了选择性发射极、选择性背侧金属接触和前侧SiN ARC层。数种加工方法包括工艺流程150、200、250、300和350能够生产这些3-D TFSC。此外,本公开通过使用双侧模板400使生产量较高。通过在模板中加工衬底,本公开提高了成品率并减少了加工步骤。 | ||
搜索关键词: | 用于 高效 锥体 三维 太阳能电池 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种加工特性增强的锥体三维薄膜太阳能电池(3‑D TFSC),其包括:包括多个锥体单元电池的P型外延3‑D TFSC衬底,其中所述单元电池包括:具有包括<111>面的不同晶面的锥形侧壁,所述锥形侧壁形成开放的锥体状结构;具有晶体<100>面的基本平坦的顶脊,所述顶脊与所述锥形侧壁关联;以及所述锥形侧壁具有背侧表面;以及所述3‑D TFSC衬底还包括背P+掺杂层;在所述锥形侧壁和所述顶脊中形成的单磷扩散发射层;在所述发射层上形成的氧化物钝化层,所述氧化物钝化层在所述锥形侧壁上形成;在所述背表面形成的全体的金属接触层;以及在所述发射层形成的前金属接触,所述前金属接触在所述顶脊上形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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