[发明专利]检测器、用于制造检测器的方法和成像装置无效
| 申请号: | 201080059492.1 | 申请日: | 2010-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN102695969A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
| 发明(设计)人: | 里斯托·奥拉瓦;汤姆·斯库尔曼 | 申请(专利权)人: | 芬菲斯公司 |
| 主分类号: | G01T3/08 | 分类号: | G01T3/08;H01L31/115;H01L31/118 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志远 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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| 摘要: | 一种用于检测中子的检测器(100)包括中子反应材料(102),所述中子反应材料适配成与待检测中子相互作用并针对与中子的所述相互作用释放电离辐射反应产物。所述检测器还包括第一半导体元件(101),所述第一半导体元件与所述中子反应材料(102)耦合并适配成与所述电离辐射反应产物相互作用并提供与所述电离辐射反应产物的能量成比例的电荷。此外,电极布置成与所述第一半导体元件(101)连接,用于提供用来收集电荷的电荷收集区域(106),并且提供与所述被收集的电荷成比例的电可读信号。所述第一半导体元件(101)的厚度适配成在电学上和/或物理上非常薄,以使其本质上/实际上对于入射光子诸如背景伽马光子是透明的。 | ||
| 搜索关键词: | 检测器 用于 制造 方法 成像 装置 | ||
【主权项】:
一种用于检测中子的检测器,其中所述检测器包括:中子反应材料,用于与入射在其上的待检测中子相互作用以响应与所述入射中子相互作用而释放电离辐射反应产物;第一半导体元件,所述第一半导体元件布置成与所述电离辐射反应产物相互作用,从而与所述电离辐射反应产物的能量成比例地提供电荷;和所述第一半导体元件配置有电极,所述电极用于提供电荷收集区域以收集所述电荷并提供与所述被收集的电荷成比例的可读电信号,其中所述第一半导体元件配置成阻止与入射光子相互作用。
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