[发明专利]用于监视在晶片处理期间赋给半导体晶片的污染物的量的方法无效
| 申请号： | 201080058077.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102687260A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | J·L·利伯特;L·费 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于监视在诸如抛光和清洁的晶片处理操作期间赋予的金属污染物的量的方法。所述方法包括对绝缘体上硅结构进行所述半导体处理，在所述结构中沉淀金属污染物以及描绘所述金属污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监视 晶片 处理 期间 半导体 污染物 方法 | ||
【主权项】：
一种用于确定或监视在工艺中金属污染物的量的方法，所述方法包括：将绝缘体上硅结构暴露到处理步骤，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在所述处理晶片与所述硅层之间的介电层，所述结构具有在所述硅层上的前表面，所述处理步骤将金属污染物赋给所述硅层；对所述绝缘体上硅结构进行热退火以使所述硅层中的金属污染物溶解；对所述绝缘体上硅结构进行冷却以在所述硅层中形成金属沉淀物；以及在所述硅层中描绘所述金属沉淀物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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