[发明专利]LDMOS功率器件有效
| 申请号： | 201080052919.5 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102754211A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 马强;陈强 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园独墅湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。本发明在不用降低其它参数指标的前提下，减小了栅极到源极的电容Cgs和漏极到源极的电容Cds，实现了射频条件下器件高增益和高效率的工作。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 功率 器件 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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