[发明专利]从聚合物改性的液体硅烷配制剂形成的硅涂层无效
申请号: | 201080052061.2 | 申请日: | 2010-10-18 |
公开(公告)号: | CN102597317A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | B.施蒂策尔;M.帕茨 | 申请(专利权)人: | 赢创德固赛有限公司 |
主分类号: | C23C18/14 | 分类号: | C23C18/14;C23C18/12;C07F7/08;H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘维升;林森 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及在溶剂中含有至少一种硅烷和至少一种碳聚合物的配制剂,和涉及在涂有该配制剂的基材上的硅涂层的生产。 | ||
搜索关键词: | 聚合物 改性 液体 硅烷 配制 形成 涂层 | ||
【主权项】:
液体硅烷配制剂,它含有下列组分的至少一种反应产物(A) 选自于以下通式的硅烷中的至少一种硅烷:SinR2n+2 和/或 SinR2n,和(B) 基于组分(A)中的硅的质量,按照0.001‑15wt%的比例可与组分(A)混合的至少一种高分子量碳聚合物。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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