[发明专利]制备硅的方法无效
| 申请号： | 201080051816.7 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102612489A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | A·卡尔;J·E·朗;H·劳勒德尔;B·弗林斯 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01B33/025;F27B3/08;F27B3/20;F27D11/08;F27D99/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及改进的制备硅，优选太阳能硅的方法，其使用新型的高纯度模制品，特别是石墨电极，还涉及制备所述新型模制品的工业方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
【主权项】：
制备硅的方法，所述硅优选为太阳能硅，其通过使用碳还原二氧化硅，其特征在于在电弧炉中进行所述方法，并且所述炉或电极的至少部分由石墨材料制备，所述石墨材料由碳材料得到，所述碳材料通过裂解至少一种碳水化合物，优选至少一种糖而得到。
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