[发明专利]β型赛隆荧光体的制造方法无效
| 申请号： | 201080049555.5 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102596852A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 野见山智宏;山田铃弥;桥本久之 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/599 | 分类号： | C04B35/599;C01B21/082;C04B35/645;C04B41/80;C09K11/08;C09K11/64 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李中奎;郭红丽 |
| 地址： | 日本东京中央*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述β型赛隆荧光体在β型赛隆中固溶有铕离子，所述制造方法包括混合β型塞隆荧光体的原料的混合工序；烧结混合工序后的原料形成β型赛隆荧光体的烧结工序；对烧结工序后的β型赛隆荧光体进行HIP处理的HIP处理工序；对HIP处理工序后的β型赛隆荧光体进行退火处理的退火处理工序和对退火处理工序后的β型赛隆荧光体进行酸处理的酸处理工序。根据该β型赛隆荧光体的制造方法，能够得到发光强度优异的β型赛隆荧光体。 | ||
| 搜索关键词： | 型赛隆 荧光 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述β型赛隆荧光体在β型赛隆中固溶有铕离子，所述制造方法包括下述工序：混合β型赛隆荧光体的原料的混合工序；将混合工序后的原料进行烧结，形成β型赛隆荧光体的烧结工序；对烧结工序后的β型赛隆荧光体进行热等静压处理即HIP处理的HIP处理工序；对HIP处理工序后的β型赛隆荧光体进行退火处理的退火处理工序；和对退火处理工序后的β型赛隆荧光体进行酸处理的酸处理工序。
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