[发明专利]具厚度不同的栅极介电质的高K栅极堆栈中的功函数调整有效
| 申请号： | 201080047199.3 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102576691A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | T·斯彻普尔;A·魏;M·特伦茨施 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 在精密的制造技术中，通过在厚度不同的栅极介电材料中提供在高K介电材料(253)内具有实质上相同空间分布的功函数调整物质(254A)，可在早期制造阶段中调整晶体管组件的功函数以及阈值电压。在并入功函数调整物质(254A)后，可通过选择性地形成额外的介电层而调整栅极介电材料的最终厚度，使得栅极电极结构(250A，250B)的另外的图案化可以高度兼容于习知制造技术的方式来完成。因此，得以避免重新调整具有厚度不同的栅极介电材料的晶体管(260A，260B)的阈值电压所要用到的极复杂制程。 | ||
| 搜索关键词： | 厚度 不同 栅极 介电质 堆栈 中的 函数 调整 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的方法，该方法包括：在第一装置区域(202A)及第二装置区域(202B)上方形成材料层堆栈，该材料层堆栈包括介电基底层(252)、形成在该介电基底层(252)上方的高K介电材料(253)以及形成在该高K介电材料(253)上方的含金属材料(207)；执行热处理(208)，用以从该含金属材料(207)扩散金属物质至该介电基底层(252)和该高K介电材料(253)所形成的接口；在执行该热处理(208)之后，在该第二装置区域(202B)上方选择性地形成介电层(251B)；以及在该第一装置区域(202A)上方形成第一栅极电极结构(250A)以及在该第二装置区域(202B)上方形成第二栅极电极结构(250B)，该第一栅极电极结构包括该介电基底层(252)以及该高K介电材料(253)作为第一栅极介电质，而该第二栅极电极结构包括该介电基底层(252)、该高K介电材料(253)以及该介电层(251B)作为第二栅极介电质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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