[发明专利]光源无效

专利信息
申请号: 201080046303.7 申请日: 2010-10-12
公开(公告)号: CN102575829A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 尼科尔·J·瓦格纳;克雷格·R·沙尔特;杨朝晖 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: F21V5/00 分类号: F21V5/00;F21V5/04;G02B3/00;H01L25/075;H01L51/52;G02F1/13357
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;关兆辉
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了光源,其中所述光源包括:单片式发射半导体器件;和小透镜的阵列,所述小透镜以光学和机械方式被耦合到所述单片式发射半导体器件;其中所述单片式发射半导体器件包括局部光发射区域的阵列,每一个区域与给定的小透镜相对应;其中所述小透镜具有表观曲率中心(Ca)、表观焦点(fa)、曲率半径(R)和小透镜基部直径(D),所述基部直径为所述小透镜在与所述单片式发射半导体器件交界处的宽度;其中所述Ca与所述fa之间沿着所述小透镜光轴的距离被归一化,使得Ca位于距离0处,fa位于点1处;其中每一个局部光发射区域位于距离为大于0且小于式(I)的点处;并且其中每一个光发射区域的直径为对应小透镜的基部直径的三分之一或更小。
搜索关键词: 光源
【主权项】:
1.一种光源,包括:单片式发射半导体器件;和小透镜的阵列,所述小透镜以光学和机械方式被耦合到所述单片式发射半导体器件;其中所述单片式发射半导体器件包括局部光发射区域的阵列,每一个所述局部光发射区域与给定的小透镜相对应;其中所述小透镜具有表观曲率中心(Ca)、表观焦点(fa)、曲率半径(R)和小透镜基部直径(D),所述基部直径为所述小透镜在与所述单片式发射半导体器件交界处的宽度;其中在所述Ca与所述fa之间沿着小透镜光轴的距离被归一化,使得Ca位于距离0处,fa位于点1处;其中每一个所述局部光发射区域位于距离为大于0且小于的点处;并且其中每一个所述局部光发射区域的直径为对应小透镜基部直径的三分之一或更小。
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