[发明专利]超声波焊接用铝带有效
| 申请号： | 201080045558.1 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102549731A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 三上道孝;菊地照夫;中岛伸一郎;平田勇一;中村政晴;木村启裕 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供一种焊接带，即使进行几万次接合，每次都能够遍及接合面的整个面均质地进行接合，可实现更加稳定的接合强度，并且没有形成线弧时的断裂。作为解决手段，是一种超声波焊接用带，其由纯度99质量％以上的铝基合金构成，为多级拉丝后辊轧而成的超薄带结构，截面内的晶体粒径的平均值为5～200μm，进行表面粗糙度为Rz≤2μm的镜面精加工，且在蒸气压比水高的水溶性的烃系溶剂、醇系溶剂、酮系溶剂或醚系溶剂中进行了浸渍处理或气氛处理。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波 焊接 用铝带 | ||
【主权项】：
一种超声波焊接用铝带，其由纯度99质量％以上的铝合金构成，该铝合金由添加元素和剩余部分的铝组成，其特征在于，该带为多级拉丝后辊轧而成的超薄带结构，该带的截面内的晶体粒径的平均值为5～200微米(μm)，该超薄带的表面进行了表面粗糙度为Rz≤2微米(μm)的镜面精加工，且在蒸气压比水高的水溶性的烃系溶剂、醇系溶剂、酮系溶剂或醚系溶剂中进行了浸渍处理或气氛处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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