[发明专利]液体材料的涂布方法、涂布装置以及程序有效
| 申请号： | 201080045483.7 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102714165A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 生岛和正 | 申请（专利权）人： | 武藏工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B05D1/26 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可消除凸块非均等地配置时渗透度的差异、或伴随喷嘴方向转换的速度差所引起的内圆角形状的紊乱，并将内圆角形状保持为固定的涂布方法、装置以及程序。液体材料的涂布方法，制作期望的涂布图案，一面使喷嘴与工件相对移动、一面从喷嘴喷出液体材料，并利用毛细管现象，将液体材料填充于基板与经由3个以上的凸块而载置在基板上的工件之间的间隙，所述液体材料的涂布方法的特征在于，当凸块非均等地配置时，设定所述涂布图案中每单位面积的供给量，使得相比于与凸块聚集度低的区域邻接的涂布区域的供给量，与凸块聚集度高的区域邻接的涂布区域的供给量变多。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 材料 方法 装置 以及 程序 | ||
【主权项】：
一种液体材料的涂布方法，制作期望的涂布图案，一面使喷嘴与工件相对移动、一面从喷嘴喷出液体材料，并利用毛细管现象，将液体材料填充于基板与经由3个以上的凸块而载置在基板上的工件之间的间隙，所述液体材料的涂布方法的特征在于，当凸块非均等地配置时，设定所述涂布图案中每单位面积的供给量，使得相比于与凸块聚集度低的区域邻接的涂布区域的供给量，与凸块聚集度高的区域邻接的涂布区域的供给量变多。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
