[发明专利]涂覆阻挡层的薄膜光伏电池无效
| 申请号： | 201080045072.8 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102696116A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | P·F·卡西亚;R·S·麦利恩 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王伦伟;李炳爱 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池抵抗湿气或大气对光伏电池的水敏感层和/或氧敏感层的侵入，其中所述电池的一个或多个层通过原子层沉积用无机氧化物阻挡层来涂覆。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 薄膜 电池 | ||
【主权项】：
薄膜光伏电池装置，所述薄膜光伏电池装置包括：(a)基板；(b)光伏电池，所述光伏电池连结到所述基板并包括Cu(In，Ga)Se2吸收层和CdS窗口层以及前电触头和后电触头；和(c)至少一个气体渗透阻挡层，所述气体渗透阻挡层采用水蒸汽前体和三甲基铝反应物通过原子层沉积方法在所述光伏电池上形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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