[发明专利]硅锭的制备装置无效
| 申请号： | 201080043366.7 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102666943A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李根宅;朴锺薰 | 申请（专利权）人： | 半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B21/02 | 分类号： | C30B21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅锭的制备装置。该硅锭的制备装置的特征在于，包括：腔室，坩埚，其设置于腔室内，加热部，其加热坩埚，坩埚搭载部，其供坩埚放置，两个以上的水冷杆组，形成于坩埚搭载部的下方；两个以上的水冷杆组设置成从坩埚搭载部的中心向外侧相互隔离，且与互不相同的供水管连接。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 装置 | ||
【主权项】：
一种硅锭的制备装置，其特征在于，包括：腔室，坩埚，其设置于上述腔室内，加热部，其加热上述坩埚，坩埚搭载部，其供上述坩埚放置，两个以上的水冷杆组，形成于上述坩埚搭载部的下方；上述两个以上的水冷杆组设置成从上述坩埚搭载部的中心向外侧相互隔离，且与互不相同的供水管连接。
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