[发明专利]组合式约束环装置及其方法有效
申请号: | 201080042131.6 | 申请日: | 2010-09-27 |
公开(公告)号: | CN102656952B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 拉金德尔·德辛德萨;罗加罗马尼昂·卡利阿纳尔曼;萨斯安阿拉延安·玛尼;瓜塔姆·巴特查里亚 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24;H05H1/34 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于在等离子体处理腔中执行压强控制的装置,包括上电极、下电极和组合式约束环装置,其中该上电极、下电极和组合式约束环装置被配置为至少用于围绕约束腔区域以促进等离子体形成与该区域中的等离子体约束。该装置进一步包括被配置用于沿垂直方向移动组合式约束环装置的至少一个活塞,以调节第一气体传导路径和第二气体传导路径中的至少一个以执行压强控制,其中第一气体传导路径形成在上电极与组合式约束环装置之间,且第二气体传导路径形成在下电极和单个组合式环装置之间。 | ||
搜索关键词: | 组合式 约束 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种在衬底处理期间在等离子体处理系统的处理腔中执行压强控制的装置,所述装置包括:上电极;下电极;由包括槽的单个环组成的组合式约束环装置;以及至少一个活塞,其被配置用于沿垂直方向移动所述组合式约束环装置以调节第一气体传导路径和第二气体传导路径从而执行所述压强控制,其中所述上电极、所述下电极和所述组合式约束环装置被配置为至少用于围绕约束腔区域,其中所述约束腔区域能够维持用于在衬底处理期间刻蚀所述衬底的等离子体,并且所述组合式约束环装置被配置用于约束所述约束腔区域内的所述等离子体;以及其中所述第一气体传导路径形成在所述上电极的第一突出与所述组合式约束环装置的第二突出之间,所述第二突出的至少一部分与所述第一突出重叠,通过垂直移动所述至少一个活塞以调节所述第一气体传导路径的长度来提供所述约束腔区域内的所述压强控制,所述第二气体传导路径形成在所述组合式约束环装置的下表面与所述下电极的上表面之间,所述组合式约束环装置的所述下表面的宽度的至少一部分与所述下电极的所述上表面重叠,并且通过垂直移动所述至少一个活塞以调节所述第二气体传导路径的宽度来提供所述约束腔区域内的所述压强控制。
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