[发明专利]表面发射激光器、表面发射激光器阵列、光学扫描设备以及成像设备有效
| 申请号： | 201080041006.3 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102498624A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 轴谷直人;原坂和宏;菅原悟;佐藤俊一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种表面发射激光器，包括基底；设置在基底上的下部半导体多层膜反射体；包括活性层且设置在下部半导体多层膜反射体上的共振体结构；设置在共振体结构上的上部半导体多层膜反射体。该第二半导体多层膜反射体包括一限制结构，在该限制结构中电流通过区域被包含铝的选择性氧化层的氧化部分围绕。发射区域包括中心部分和周围部分，该周围部分覆盖有透明的电介质膜，其反射率比中心部分的反射率低。选择性氧化层具有在从30纳米到40纳米的范围内的厚度。振荡阈值电流被最小化所在的温度是60摄氏度或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 激光器 阵列 光学 扫描 设备 以及 成像 | ||
【主权项】：
一种表面发射激光器，包括：基底；设置在所述基底上的下部半导体多层膜反射体；包括活性层且设置在所述下部半导体多层膜反射体上的共振体结构；设置在所述共振体结构上的上部半导体多层膜反射体，该第二半导体多层膜反射体包括一限制结构，在该限制结构中电流通过区域被包含铝的选择性氧化层的氧化部分围绕；以及设置在所述上部半导体多层膜反射体上的上电极，该上电极限定发射区域，其中所述发射区域包括中心部分和周围部分，该周围部分覆盖有透明的电介质膜并且具有比所述中心部分的反射率低的反射率，其中所述选择性氧化层具有在从30纳米到40纳米的范围内的厚度，以及振荡阈值电流被最小化所处的温度是60摄氏度或更低。
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