[发明专利]新型加成化合物、稠合多环芳香族化合物的精制以及制造方法、有机半导体膜形成用溶液、以及新型α-二酮化合物无效
| 申请号： | 201080038349.4 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102548998A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 池田吉纪;城尚志;泷宫和男 | 申请（专利权）人： | 帝人株式会社 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;C07D495/18;C07D495/22;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供利用一般比蒸镀法容易的溶液法能够形成由稠合多环芳香族化合物构成的有机半导体层的新型加成化合物和α-二酮化合物。另外，提供该加成化合物的精制方法、以及含有该加成化合物的有机半导体膜形成用溶液。本发明的加成化合物具备六氯环戊二烯等具有双键的化合物可脱离地加成于二萘并噻吩并噻吩等式(I)的稠合多环芳香族化合物而成的结构。另外，本发明的α-二酮化合物具备六氯环戊二烯等具有双键的化合物可脱离地加成于二萘并噻吩并噻吩等稠合多环芳香族化合物而成的结构。Ar1Ar2Ar3(I)(式中，Ar1、Ar2、Ar3与说明书中的定义相同)。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 加成 化合物 稠合多环 芳香族 精制 以及 制造 方法 有机半导体 形成 溶液 | ||
【主权项】：
一种加成化合物，具备具有双键的化合物(II)介由所述双键可脱离地加成于下述式(I)的稠合多环芳香族化合物而成的结构：Ar1Ar2Ar3 (I)Ar1和Ar3各自独立地选自2～5个芳香族环稠合的取代或非取代的稠合芳香族环部分，Ar2选自由1个芳香族环构成的取代或非取代的芳香族环部分、以及2～5个芳香族环稠合的取代或非取代的稠合芳香族环部分，Ar1与Ar2共有至少2个碳原子而形成稠合芳香环，并且Ar2与Ar3共有至少2个碳原子而形成稠合芳香环。
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