[发明专利]层合体及其制造方法有效
| 申请号： | 201080032100.2 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102470637A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 高木斗志彦;福本晴彦 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B27/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明，提供一种层合体及其制造方法，所述层合体包括基材和形成于上述基材上的含硅膜，上述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域，上述氮高浓度区域如下形成：在实质上不含氧或水蒸气的气氛下，对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射，将该膜的至少一部分改性。 | ||
| 搜索关键词： | 合体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种层合体，所述层合体包括基材和形成于所述基材上的含硅膜，所述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域，所述氮高浓度区域如下形成：在实质上不含氧或水蒸气的气氛下，对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射，将所述膜的至少一部分改性。
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