[发明专利]选择性控制等离子体的离子组成物的系统和方法有效
申请号: | 201080029436.3 | 申请日: | 2010-06-25 |
公开(公告)号: | CN102471880A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 卡莫尔·哈迪德;拉杰许·都蕾;伯纳德·G·琳赛;维克拉姆·辛;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;H01J37/317;H01J37/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种调整等离子体的组成物的方法,用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速,以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子,但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞,造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化,以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。 | ||
搜索关键词: | 选择性 控制 等离子体 离子 组成 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种修饰次大气压等离子体的方法,其特征在于包括:提供一馈送气体至一腔室;激发所述馈送气体以产生一等离子体;以及施加一电场脉冲至所述等离子体,所述脉冲的上升时间基本上等于或小于电子等离子体频率的倒数,且所述脉冲所具有的期间小于离子等离子体频率的倒数;其中,所述电场脉冲选择性地影响所述等离子体的电子,但基本上不影响所述等离子体的离子;且其中,所述受影响的电子修饰了所述等离子体中所述离子和中性粒子的组成物、密度和温度。
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