[发明专利]图像补偿可寻址的静电卡盘系统有效
申请号: | 201080029054.0 | 申请日: | 2010-06-15 |
公开(公告)号: | CN102473669A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 马修·汉森 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 提供系统和方法用于使用图像补偿可寻址的静电卡盘以校正光刻系统的成像误差。图像补偿可寻址的静电卡盘包括基底、多个第一电极、多个第二电极以及支撑层。多个第一电极设置在基底上并且沿第一方向均匀间隔开。多个第二电极设置在基底上并且沿第二方向均匀地间隔开,所述第二方向与第一方向大体正交。支撑层设置在多个电极上方以支撑物体。多个第一电极和第二电极的位置交叠部分形成静电作用力点的矩阵,使得在给与给定作用力点相关的多个第一电极和第二电极对通电时,不均匀静电作用力在给定作用力点的附近作用在物体上。 | ||
搜索关键词: | 图像 补偿 寻址 静电 卡盘 系统 | ||
【主权项】:
一种静电卡盘,包括:基底;多个第一电极,设置在基底上并且沿第一方向均匀地间隔开;多个第二电极,设置在基底上、定位在由多个第一电极限定的区域内并且沿第二方向均匀地间隔开,所述第二方向与第一方向大体正交;和支撑层,设置在多个电极上方以支撑物体,其中多个第一电极和第二电极的位置交叠部分形成静电作用力点的矩阵,使得在给与给定作用力点相关的多个第一电极和第二电极对通电时,不均匀静电作用力在给定作用力点的附近作用在所述物体上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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